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AUIRF7665S2TR/TR1
100
6.5
5.5
4.5
10
1
T J = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 175°C
3.5
2.5
1.5
ID = 25μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
D = 1.0A
0.1
0.01
VGS = 0V
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
T J , Temperature ( °C )
Fig 7. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 8. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
18
16
14
12
10
T J = 25°C
T J = 175°C
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
8
6
100
Coss
4
2
0
V DS = 10V
380μs PULSE WIDTH
10
Crss
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
1
10
100
ID,Drain-to-Source Current (A)
Fig 9. Typical Forward Transconductance Vs. Drain Current
14.0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 10. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
16
12.0
10.0
8.0
ID= 8.9A
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
14
12
10
8
6.0
6
4.0
2.0
0.0
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
25
50
75
100
125
150
175
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig.11 Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
www.irf.com
T C , Case Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
5
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